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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)非氧化性气氛条件下混合铬粉与硅粉，得到混合粉料；(2)装模，对装模后的混合粉料进行真空热压烧结；(3)真空热压烧结结束后随炉冷却，得到所述铬硅合金溅射靶材。本发明所述制备方法特别适用于含硅量较多的铬硅合金溅射靶材，通过对铬粉与硅粉的混合方法以及真空热压烧结具体操作的调整，使制备得到的铬硅合金溅射靶材的致密度较高，且微观均匀致密，无空洞与分层结构，可以为后续溅射使用提高良好的性能保障。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112376023 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011217394.8
(22)申请日 2020.11.04
(71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司
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