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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提出了一种基于亚微米铌酸锂薄膜和GSG电极结构实现的新型偏振调制器结构及制备方法，其中，通过套刻、电镀和腐蚀工艺的有机结合实现了GSG电极在亚微米级脊型波导两侧的精确定义，使得在微小尺寸下采用GSG电极结构以及获得高的调制带宽成为可能。此外，还基于这种基本结构提供了一种优化的结构参数设计方案，实现脊型波导与调制电极、光信号与调制信号之间的良好匹配，最终在偏振调制器上实现低的半波电压、高的调制带宽，同时使偏振调制器的尺寸得以进一步小型化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116165812 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202111417360.8
(22)申请日 2021.11.25
(71)申请人 济南量子技术研究院
地址 250
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