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一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用.pdf

    本发明涉及一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用。本发明利用锰基材料本身高电位窗口作为优势，在此基础上掺杂过渡金属离子来修饰锰基材料，进而整体提高锌离子电池的电化学性能。基本步骤：先对空碳布进行预处理；然后采用电沉积法在空碳布上生长过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列；最后清洗干燥。本发明采用一步法，方便简单，且原料方便获得，成本低廉，无毒，这解决了传统工艺中材料含杂质过多，操作繁琐等问题。对于锌离子电池阴极材料而言，本发明通过过渡金属离子掺杂锰基氧化物的方式以

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112374545 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202011257579.1 H01M 4/50 (2010.01)

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