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避免寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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避免寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法.pdf

    本公开提供一种避免寄生沟道效应的NS‑FET制备方法，包括：操作S1：在衬底上生长外延层；操作S2：在外延层上制备掩膜并对应所述掩膜刻蚀整个外延层形成沟道部，刻蚀部分衬底形成鳍条；操作S3：在所述鳍条两侧台面区填充隔离材料形成隔离区并去除掩膜；操作S4：沿所述沟道部延伸方向的两侧及顶部制备假栅极，并在沟道部方向的栅极两侧制备侧墙和源漏；操作S5：在RMG工艺过程中，去除牺牲层锗硅，完成沟道部中纳米片沟道的释放，使得在源漏与衬底之间形成空隙，并利用high‑k/金属栅工艺在底部形成空隙隔离，进而完

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112349592 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202011167551.9 H01L 29/08 (2006.01) (22)申请日 2020.10

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