一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法.pdf

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本发明提供了一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料，化学式为Re4xBi4(1‑x)Si3O12/Bi12SiO20，其中，稀土离子Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy、Sm中任一种，X的取值范围为0.003‑0.05，同时，还提供了该共晶材料的制备方法，采用一定质量纯度为5N的Bi2O3、SiO2和Re2O3作为原料，经过充分研磨之后压制成块，再高温烧结，通过提拉法生长得到共晶。与现有技术相比，本发明的共晶材料能够在材料内部存在两种尺寸的晶粒，稀土离子的发光半高宽比在单晶材料中更宽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359419 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011147283.4 (22)申请日 2020.10.23 (71)申请人南京同溧晶体材料研究院有限公司

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