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改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法.pdf

    本发明公开了一种改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，包括：步骤一、提供需要进行离子注入的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有场氧，在有源区上形成有栅极结构，栅极结构的侧面形成有氮化硅侧墙；步骤二、进行涂胶前预处理，涂胶前预处理采用合成气体或者采用合成气体和氮气的混合气体对半导体衬底表面进行处理；步骤三、进行光刻工艺，包括光刻胶的涂胶、曝光和显影工艺，显影后形成光刻胶图形；步骤四、进行所述离子注入；步骤五、去除光刻胶图形。本发明能同时消除栅极结构的氮化硅侧墙对光刻胶的氮中毒影响以及消除有源区和场氧

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382562 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011201722.5 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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