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双大马士革工艺方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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双大马士革工艺方法.pdf

    本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜，进行选择性刻蚀形成通孔的开口；步骤二、旋涂形成TEOS层并进行固化；步骤三、在所述TEOS层表面旋涂形成BARC层；步骤四、进行回刻工艺形成由通孔的开口中的TEOS层组成的顶部表面高度一致的光阻塞保护层；步骤五、形成光刻胶图形将沟槽形成区域打开；步骤六、以光刻胶图形为掩膜以及以沟槽刻蚀停止层为停止层对第二层间膜进行刻蚀形成沟槽；步骤七、去除光刻胶图形和光阻塞保护层。本发明能提高光阻塞保

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382609 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011215606.9 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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