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磁电阻传感器芯片,包括:第一感应单元,所述第一感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥,其中,一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽;第二感应单元,所述第二感应单元包括由磁电阻组成的惠斯通电桥,其中,一对相对桥臂上的磁电阻被软磁层屏蔽,另一对相对桥臂上的磁电阻处于偏置磁场中;数据处理单元,所述数据处理单元将所述第一感应单元的输出和所述第二感应单元的输出相除后,输出最终的感应信号。本发明通过设置两个感应单元,一个对外输出与温度和磁场有关的信号,另一个对外输出只与温度有关的信号,通过对两个输出信号进行除法处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112363097 B
(45)授权公告日 2021.09.21
(21)申请号 202011205282.0 (56)对比文件
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