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本发明公开了一种基于硅片双凹槽结构的太阳能电池栅线激光诱导印刷方法,包括:使用激光在硅片上刻蚀双凹槽结构以限制栅线印刷区域,利用激光诱导银浆薄膜在透明基片和双凹槽限制区域之间产生银浆桥,使激光沿着凹槽间隔区域延伸方向扫描,从而实现对银浆桥的拓展。通过垂直移动透明基片对银浆桥进行拉伸,直至银浆桥断裂,最终在硅片上获得具有高精度、高高宽比的栅线。本发明相比于传统的丝网印刷技术,能够降低成本,减少破损率。相比于原有的激光诱导转移方法,由于凹槽的存在,银浆和硅片的接触区域被限制在了凹槽间隔区域内。因此可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112382676 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202011176805.3 (56)对比文件
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