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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明涉及太阳能电池生产领域。适用于碱抛工艺单晶PERC‑SE双面电池制作方法，顺序按照清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、PSG+碱抛、二氧化硅层制备、背钝化膜制备、正面氮化硅层制备、背面激光开槽、正背面电极制备的工艺步骤制备，二氧化硅层制备时，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：300‑900℃，氧气流量：100‑10000sccm，时间：2‑50min。采用碱抛SE工艺，SE实现降低硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382698 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011187845.8 C23C 16/02 (2006.01)
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