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本发明公开了一种适用于单晶硅片切割损伤层去除的生产线,其特征在于它包括氧化工位和清洗工位,硅片(2)在氧化工位中实现损伤层的氧化,在清洗工位中实现氧化物的清洗。采用本发明提供的生产线,可以选择性的氧化硅片表面损伤层并去除;同时可以降低制绒减重,在制绒阶段,只需要形成绒面即可。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382695 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202010911600.9
(22)申请日 2020.09.02
(71)申请人 环晟光伏(江苏)有限公司
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