原创力文档- 1
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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过依次生长N极性转换层和图形化石墨层，其中，所述N极性转换层的材料为GaN，且靠近图形化石墨层的一侧为氮面，由于图形化石墨层的材料为石墨烯，石墨烯中的碳原子和N极性转换层氮面的氮原子可以根据范德瓦尔斯力结合，通过这样的方式将其应用于Micro‑LED或Mini‑LED中，可以更轻松地实现与衬底的剥离，另外，在部分子石墨烯块的中心位置开设有通孔，该通孔用于将N极性转换层部分裸露，目的在于在通孔处形成晶种，便于后续生长的GaN材料可以更好的在石
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832137 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202310120804.4 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2023.02.
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