发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

下载本文档

0
0
约3.39万字
约 17页
2023-05-28 发布于四川
举报
版权申诉

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、复合插入层、电子阻挡层和P型半导体层；所述复合插入层为C/O共掺杂的P型InGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的亮度，提高亮度分布均匀性，提高抗静电能力，降低表面粗糙度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832138 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202310122638.1 (22)申请日 2023.02.16 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33