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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供一种B4快闪存储器的编程方法，包括：将P型沟道闪存器件的源极浮空；在P型沟道闪存器件的栅极、漏极及衬底分别施加电压，空穴注入衬底，电子聚集在漏极形成一次电子；在漏极和衬底分别施加电压，漏极和衬底之间形成电场，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击P型沟道闪存器件中的衬底，产生二次电子；在P型沟道闪存器件的栅极及衬底分别施加电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子并与一次电子叠加注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发及带间隧穿两种方式的累
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112382327 B
(45)授权公告日 2021.07.23
(21)申请号 202011269500.7 G11C 16/10 (2006.01)
(22)申请日
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