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一种集成底部反射层的双层氮化硅光栅耦合器.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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一种集成底部反射层的双层氮化硅光栅耦合器.pdf

    本发明公开了一种集成底部反射层的双层氮化硅光栅耦合器，涉及光通信以及微波光子学领域。其包括自上而下设置的氧化物上包层、第二氮化硅光栅层、氧化物夹层、第一氮化硅光栅层、氧化物下包层、底部反射层以及衬底层，两层光栅都完全包埋在氧化物上下包层中，且在水平和垂直方向都有固定的间距。第一氮化硅光栅层以一定周期和填充占空比均匀排列，第二氮化硅光栅层采用了切趾处理。双层光栅设计能实现很高的指向性，抑制旁瓣。底部反射层采用多层分布式布拉格反射设计，有效防止向下耦合的光场泄露到衬底。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116165742 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202310161920.0 G02B 6/122 (2006.01) (22)申请日 2023.02.

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