一种除垢剂及其应用.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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本发明涉及除垢技术领域,尤其涉及一种除垢剂及其应用。本发明提供的除垢剂中的HClO4可以氧化有机物,使有机物大分子降解成小分子,同时释放出垢物中的金属有机络合物中的金属元素;所述EDTA可以与垢物中的金属离子形成络合物,并溶于水中;所述NaF+HNO3可以溶解垢物中SiO2等含Si晶体物质,NaF需在HNO3存在的条件下才能够起到溶解含硅晶体物质的作用,并避免了直接使用HF溶解含硅晶体物质对矿层造成严重破坏的问题,较使用HF更加温和。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112410007 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011308806.9 C09K 8/528 (2006.01) (22)申请日 2

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