原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开的实施例涉及包括标准单元以及至少一个电容性填充结构的集成电路。一种集成电路包括逻辑部分，所述逻辑部分包括沿第一方向且以互补半导体阱的交替布置为平行的行的标准单元。在标准单元中至少一个电容性填充结构属于两个相邻行并且包括导电电枢和第一阱之间的电容性交界面，所述第二阱在所述第一方向上的范围在所述电容性填充结构的长度之上被中断，使得所述第一阱在第二方向上占据所述电容性填充结构的两个相邻行的宽度。导电结构电连接电容性填充结构任一侧上的第二阱。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115831875 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211129436.1 H10B 41/30 (2023.01)
(22)申请日 2022.09.
文档评论（0）