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掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构.pdfVIP

掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构.pdf

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    一种掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构，其中掩膜版缺陷修复方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和包围所述第一区的第二区，所述基底表面具有遮光膜；对所述遮光膜进行一次以上第一刻蚀，形成遮光层，所述遮光层内具有开口，且所述开口暴露出第一区表面；所述第一刻蚀包括：在所述遮光膜表面形成保护层；对所述第一区上的保护层和遮光膜进行第一电子束刻蚀工艺。所述方法降低掩模版缺陷的修复成本的同时，能够减小刻蚀偏差，提高掩膜缺陷修复成功率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112394614 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191

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