半导体中的电子状态.pptVIP

半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1间隙式杂质和替位式杂质 2.1.2施主杂质、施主能级 2.1.3受主杂质、受主能级 2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算 2.1.5杂质的补偿作用 2.1.6深能级杂质 2.2 III-V族化合物中的杂质能级 2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级 2.4.1点缺陷 2.4.2位错 2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质 实际半导体中并不是完美的一种原子的晶体结构。存在着一定数目的缺陷和杂质。 即使微量的杂质，对半导体的导电能力会带来巨大的影响----半导体的特性。 杂质：与本体原子不同元素的原子。 只有替位杂质才能被激活。 正如一般电子为晶体原子所束缚的情况，电子也可以受杂质的束缚，形成杂质能级。电子也具有确定的能级，这种杂质能级处于禁带（带隙）之中，它们对实际半导体的性质起着决定性作用。 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 半导体中间隙式杂质和替位式杂质 按照球形原子堆积模型，金刚石型晶体的一个原胞中的8个原子只占该晶胞体积的34％，还有66％是空隙。 A－间隙式杂质原子：原子半径比较小 B－替位式杂质原子：原子的大小与被 取代的晶体原子大小比较相近 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 施主杂质 施主电离 束缚态 中性态 VA族杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。 释放电子的过程。 施主杂质未电离时电中性的状态 离化态 电离后成为正电中心。 施主杂质 电离能?ED 多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.2 施主杂质 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.2 施主杂质 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 施主能级ED ： 被施主杂质束缚的多余的一个价电子状态对应的能量。 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.2 施主杂质 施主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 硼掺入硅中, 硼只有三个价电子,与周围的四个硅原子成键时，产生一个空穴。其它成键电子很容易来填补这个空穴。填补时，空穴激发到价带（空穴电离，能量升高），同时硼原子成为负电中心。这一过程很容易发生，意味着空穴电离能较小。 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.3 受主杂质、受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 硼原子看成是一个负电中心束缚着一个空穴, 空穴很容易电离到价带, 同时在硼原子处成为一个负电中心。 等价表述 受主杂质 电离能 受主杂质 电离 空穴挣脱受主杂质束缚的过程。 使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。 P型半导体 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.3 受主杂质、受主能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 如何计算、分析半导体中，杂质的能级。这里介绍一种最简单的、实际上也是最重要的一类杂质能级──类氢杂质能级。 在Si、Ge元素半导体和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体等最重要的半导体材料中发现： 加入多一个价电子的元素，如在Si 、Ge中加入P、As、Sb，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅵ族元素，这些掺入的杂质将成为施主； 加入少一个价电子的元素，如在Si 、Ge中加入Al 、Ga、In，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅱ族元素，这些掺入的杂质将成为受主； 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 加入多一个价电子的替位式杂质原子，在填满价带（饱和周围成键原子的共价键）之外尚多余一个电子，同时，相比原来的原子，杂质原子也多一个正电荷，多余的正电荷正好束缚多余的电子，类似氢原子的情形。 加入少一个价电子的替位式杂质原子，在与近邻4个原子形成共价键时，缺少了一个电子，这样就使得此处的共价键中相比原来缺少了一个电子。其它价键中的电子很容易来填补这个空缺。这样一来，杂质处多了一个负电荷，同时满带处取去了一个电子，亦即多一个空穴。如同这个空穴可以被杂质负电荷所束缚，并类似氢原子的情形，只有正负电荷对调了，这样一个束缚的空穴相当于一禁带中一个空的受主能级。 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 氢原子电子满足： 可以解出能量本征值： 基态氢原子的电离能Ei: a0称为波尔半径，值为： 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 半导体中点电荷库仑场，