包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法.pdf

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本发明涉及一种包含LDMOS晶体管的半导体器件及制作方法。所述半导体器件中，LDMOS晶体管具有气隙场板结构，包括位于漂移区上方的气隙、位于气隙上的场板以及封闭所述气隙的侧墙，相较于同样厚度的场板氧化膜，所述气隙的介电常数较低，等效厚度较大，在阻断状态下承担的电压增加，可以避免下方漂移区内的耗尽电场局部集中而导致击穿，因而有助于提高击穿电压。而且，所述气隙场板结构位于半导体衬底上方，不会影响所述LDMOS晶体管的导通路径截面，有助于获得较小的导通电阻。所述制作方法用来形成包含上述LDMOS晶体管

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397591 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202011254721.7 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2020.1

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