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2023-05-29 发布于四川
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本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括在栅极绝缘层上形成非晶态的金属氧化物半导体薄膜；形成覆盖金属氧化物半导体薄膜的第二金属层，对第二金属层进行图形化以形成源极/漏极层的图形，其中，第二金属层包括与非晶态的金属氧化物半导体薄膜接触的晶化诱导层；对形成有源极/漏极层的图形和非晶态的金属氧化物半导体薄膜的基板进行诱导晶化退火，在晶化诱导层的诱导下，使非晶态的金属氧化物半导体薄膜转变为结晶态的金属氧化物半导体薄膜，以形成由结晶态的金属氧化物半导体薄膜构成的有源层。本发明在提高金属氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420849 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011241267.1 (22)申请日 2020.11.09 (71)申请人昆山龙腾光电股份有限公司

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