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2023-05-29 发布于四川
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多晶硅材料及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种多晶硅材料及其制备方法。该技术方案基于金属离子掺杂原理对多晶硅的组成成分进行复配，引入微量的CoCl2、Ag2CrO4、BaCl2O8等成分，并采用TiC、GaAs对晶体结构加以保护，同时优化了配方比例。在此基础上，给出了该多晶硅材料的制备方法，该方法以改良西门子法为基础，在制备SiHCl3的过程中加入四氯化锗、Bi(NO3)3、BaCl2O8，得到掺杂型三氯氢硅；而后进行冷凝除杂，并进一步掺杂CoCl2、Ag2CrO4、三硅酸镁；在还原工艺中将TiC、GaAs与三氯氢硅一同汽化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112410872 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011293081.0 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人山东金韵能源技术

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