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本发明涉及一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法，该方法包括以下步骤：在半导体晶片上设置多个保护环区域，接着在每个所述保护环区域中形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，接着在所述第一沟槽中形成第一树脂层；接着在所述第二沟槽中形成层状纳米材料膜/树脂膜层叠结构，接着在所述第三沟槽中形成纳米颗粒薄膜/树脂薄膜层叠结构，接着在所述半导体晶片上沉积介质层，接着在所述介质层中形成第四沟槽、第五沟槽以及第六沟槽，接着在所述第四沟槽中沉积金属材料以形成第一金属层，在所述第五沟槽中沉积金属材料以形成第二金属层，在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420621 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011354777.X
(22)申请日 2020.11.26
(71)申请人 苏州矽锡谷半导体科技有限公司
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