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- 2023-05-29 发布于四川
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本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115831721 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211451697.5
(22)申请日 2022.11.18
(71)申请人 中国科学院光电技术研究所
地址 6
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