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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明公开了石墨烯薄膜复铜基热沉及其制备方法。该制备方法包括:提供热沉基板并对所述热沉基板进行预处理;在所述热沉基板上形成石墨烯薄膜层;在所述石墨烯薄膜层上形成金属膜层;对所述石墨烯薄膜层和所述金属膜层进行热压处理。该石墨烯薄膜复铜基热沉包括:热沉基板;石墨烯薄膜层,设置于所述热沉基板上;金属膜层,设置于所述石墨烯薄膜层上。通过制作石墨烯薄膜层来增强了热沉材料的平面导热能力,且石墨烯薄膜层有利于抑制芯片的热膨胀性,延长了芯片的使用寿命,同时通过设置金属膜层可提高热沉材料的焊接性能,最后通过热压工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112410750 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20191
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