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本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法,其不同之处在于,包括以下步骤:步骤1:选择一n型InP衬底;步骤2:在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层;步骤3:在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅;步骤4:二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层;步骤5:在所述接触层和上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层;步骤6:刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口;步骤7:在p型表面沉积金属形成p面电极,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112398005 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202011518351.3 G01N 21/39 (2006.01)
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