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TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法.pdfVIP

TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法.pdf

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    本发明涉及一种TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法，操作步骤，（1）将背刻蚀清洗后的硅片放到载板上进行预热，（2）通入SiH4和N2O或O2作为反应气体，利用交流射频电源产生等离子体，SiH4和N2O反应进行氧化硅薄膜沉积；（3）通入氮气和氢气，并在等离子体激发条件下进行氢化处理；（4）氧化硅薄膜经过氢化处理之后，通入硅烷，在等离子体作用下进行本征非晶硅的沉积；（5）沉积完之后，通入硅烷和磷烷进行原位掺杂非晶硅的沉积，使得从内层到外层每层掺杂非晶硅的磷浓度逐渐降低，直到沉积完成最终

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420881 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202011302874.4 (51)Int.Cl.

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