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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明提供了一种长型条半导体的加工方法,包括以下步骤:在长型条半导体正面镀DLC膜,然后在DLC膜上镀硅膜;将长型条半导体的背面固定于陶瓷片,在长型条半导体的正面切割2‑3个槽;将长型条半导体的背面与陶瓷片分离并且将长型条半导体的正面固定于陶瓷片,在长型条半导体的背面切割2‑3个槽;将长型条半导体的正面与陶瓷片分离。本发明的方法通过将长型条半导体在正面镀DLC膜然后在DLC膜上镀硅膜后,在长型条半导体的正面切割2‑3个互相平行的槽,在长型条半导体的背面切割2‑3个互相平行且与正面的槽平行的槽,减
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112435949 A
(43)申请公布日
2021.03.02
(21)申请号 20191
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