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本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤:对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD‑miniLED发光器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112420895 B
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202011237249.6 H01L 33/50 (2010.01)
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