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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供第一晶圆；沿第一表面，对第一晶圆进行第一深度的刻蚀形成第一凹槽；在第一凹槽中填充第一材料形成阻挡结构；提供第二晶圆；键合第一晶圆的第一表面与第二晶圆；沿第二表面，对第一晶圆进行第二深度的刻蚀形成第二凹槽，第一材料从第二凹槽的底部暴露；去除第一凹槽中的第一材料，使第一凹槽与第二凹槽形成贯通的第三凹槽。本公开实施例中在刻蚀形成第一凹槽时，通过对第一凹槽填充第一材料，形成了对键合胶层具有阻挡、保护作用的阻挡结构。后续在刻蚀形成第二凹槽时，由于

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115831862 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211437675.3 (22)申请日 2022.11.15 (71)申请人 湖北三维半导体集成创新中心有限

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