针对混合接合的后CMP处理.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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器件和技术包括用于形成穿过经堆叠和接合的结构的开口的工艺步骤。在接合层的平面化(通过化学机械抛光(CMP)等)之后并且在接合之前,开口通过预蚀刻穿过经制备的裸片的一个或多个层而形成。例如,在将裸片接合以形成组件之前,开口被蚀刻穿过待被接合的裸片的一个或多个层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112470272 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 201980049187.5 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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