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- 2023-05-30 发布于四川
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在半导体装置中，优选雪崩耐量高。提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其在与半导体基板的上表面接触的区域具有发射区；二极管部，其在与半导体基板的下表面接触的区域具有阴极区并且在除阴极区以外的区域具有第二导电型的重叠区，并且在半导体基板的上表面在预定的排列方向上与晶体管部并列地配置；以及层间绝缘膜，其设置于半导体基板与发射电极之间并设置有用于将发射电极与二极管部连接的接触孔，重叠区以第一长度设置在发射区的端部与阴极区的端部之间，重叠区以第二长度设置在接触孔的端部与阴极区的端部之间，第一长
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470288 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201980049420.X (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限
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