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- 2023-05-30 发布于四川
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本实施方式的半导体装置具备第1衬底及第2衬底。第2衬底积层在第1衬底的第1面上,且具有与该第1面对向的第2面。多个第1端子设置在第1衬底的第1面上。多个第2端子设置在第2衬底的第2面上。多个金属部分别设置在多个第1端子与多个第2端子之间。在相对于第1与第2衬底的积层方向大致垂直的方向的截面中,多个第1端子或多个第2端子在朝向最邻近的另一第1或第2端子的第1方向上具有凹部,或者在与第1方向交叉的第2方向上具有凸部。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466828 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20201
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