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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOIMOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112466953 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202011366925.X H01L 29/06 (2006.01)
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