- 1
- 0
- 约2.03万字
- 约 23页
- 2023-05-30 发布于四川
- 举报
公开了一种自对准半镶嵌触点方案以降低针对3DPCM的成本。在所提出的触点方案中,首先形成接触孔,接着进行低电阻率金属沉积以填充孔并形成覆盖的一层金属膜。随后,可以通过金属膜的光刻和干法蚀刻来形成位线和字线。金属可以是低电阻率的,例如W、Co、Rh、Ru、Ir、Mo或与石墨烯的混合物。这样对于2个堆叠体,可以消除三个金属CMP。对于4个堆叠体,可以消除五个金属CMP。利用Co、Rh、Ru形成的WL和BL对于缩放友好。利用所公开的方案,在WL/BL和触点之间没有界面接触电阻。消除了多个金属CMP以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112449724 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202080002912.6 (51)Int.Cl.
您可能关注的文档
最近下载
- 文明施工、文物保护保证体系及保证措施.docx VIP
- 山东科技版劳动实践指导手册一年级第12课传统工艺制作有趣的纸工剪窗花 课件.ppt
- 检验检测标准方法验证.docx VIP
- WS589-2018病原微生物试验室生物安全标识标准WS589—2018.pdf
- 2026年湖南省怀化市工会系统人员招聘笔试参考试题及答案解析.docx VIP
- ICEPAK网格划分-中文版.pdf VIP
- 文明施工、文物保护保证体系及保证措施.docx
- 从“五方面人员”中选拔乡镇领导班子成员(及解析).docx VIP
- 成都二十中学2025初一入学英语分班考试真题含答案.docx VIP
- 高频精选:国安面试题真题及答案.doc VIP
原创力文档

文档评论(0)