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本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦方法属于半导体加工测试技术领域；所述方法首先在MEMS探针激光刻蚀装置中，将螺旋通槽板用上一字通槽板代替，将直线通槽板用下一字通槽板代替，将单晶硅圆片用平面反射镜代替；在下一字通槽板和物镜之间设置棱镜，在棱镜的侧边缘设置图像传感器；然后记录四维台在上下方向的位置与图像的映射关系；再建立四维台在上下方向的位置与光斑直径的映射关系；最后找到光斑直径最小值，根据所对应的四维台在上下方向的位置，并将四维台移动到所述位置；本发明MEMS探针激光刻蚀装置用光学准焦方法
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112453690 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202011378527.X 审查员 陈晓君
(22)申请日 2020.12.01
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