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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底包含一磁性隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)区域以及一逻辑区域，然后形成一MTJ于MTJ区域上，形成一上电极于MTJ上，形成一金属间介电层环绕MTJ，去除上电极正上方的金属间介电层以形成一凹槽，形成一第一硬掩模于金属间介电层上并填入凹槽内，去除逻辑区域的第一硬掩模以及金属间介电层以形成一接触洞，再形成一金属层于凹槽及接触洞内以于上电极上方形成一连接结构以及于逻辑区域形成一金属内
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466901 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20191
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