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一种KDP类晶体锥柱生长区域的判别方法和测试装置，其中方法包括：测量深紫外某一波长激光光束的初始能量E1或者光功率P1，在所述深紫外激光光路上放置KDP类晶体，测量透过KDP类晶体后激光束能量E2或者光功率P2，利用公式T＝E2/E1*100％或者T＝P2/P1*100％计算出该KDP类晶体测量点处的透过率T。根据透过率T判断晶体锥柱生长区域：透过率T高于70％，为KDP类晶体的锥面生长区；透过率T低于50％，为KDP类晶体的柱面生长区；透过率T在[50％，70％]，则为KDP类晶体的锥柱交界区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112432898 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 202011206315.3
(22)申请日 2020.11.03
(71)申请人 中国
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