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- 2023-05-30 发布于四川
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非易失性半导体存储装置(20)具备：半导体衬底(30)，具有第1导电型，且在背面具备破碎层(30R)；存储单元阵列(21)，配置在半导体衬底的与破碎层相反侧的正面上；及第1导电型高电压晶体管(HVP)，配置在半导体衬底上，具备第1导电型通道，对存储单元阵列供给高电压。第1导电型高电压晶体管具备：阱区域(NW)，配置在半导体衬底的正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；p+源极区域及p+漏极区域，配置在阱区域；及第1高浓度层(WT2)，配置在半导体衬底的破碎层与阱区域之间，浓度比半导体衬底
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466367 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20201
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