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一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制作方法，存储器包括多层结构、长形插塞结构、第一导体插塞与第二导体插塞。多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上。所述多层结构中具有贯穿所述多层结构的孔洞。所述孔洞的截面具有长形轮廓，所述长形轮廓具有长度不同的长边与短边。长形插塞结构配置于所述孔洞中，其中所述长形插塞结构的截面具有所述长形轮廓。所述长形插塞结构包括绝缘柱、通道层与栅介电层。通道层环绕所述绝缘柱。栅介电层环绕所述通道层。栅极层环绕所述栅介电层。第一导体插塞设置于所述通道层与所述基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447743 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 201910855214.X H01L 27/11582 (2017.01)
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