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- 2023-05-30 发布于四川
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描述了系统、方法和设备，以通过存储单元的几何结构配置，通过蚀刻和其他方法，减小操作3D存储单元所需电流，在一个实施例中，通过在存储单元之间使用层合和间隙填料减小了热串扰，这继而产生更少的热量并且更好地隔离由单元产生的热，这继而允许存储单元更小尺度的制造。在单元结构和工艺流程中，通过在X和Y方向二者上的线/空间图案化期间进行湿法或干法工艺，以缩小的形状对PCM存储单元成形。结果，在存储单元柱的中间，编程电流密度最高，以仅在单元柱的中间诱发相变和熔化，从而保持远离顶部电极和底部电极，用于减小在相邻单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112449726 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202080002916.4 (51)Int.Cl.
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