碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法.pdf

在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域的情况下,多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域。在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域的情况下,多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域。在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率,将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率,并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为X

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112470255 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 201980048360.X (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限

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