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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明提供一种能够抑制贯穿电极区域的面积的增加的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具有：基准单元(100)，其以使电路层(11、21)邻接的方式层叠有至少两个电路模块(10、20)；附加单元(200)，其以使电路层(31、41)邻接的方式层叠有其他的至少两个电路模块(30、40)，附加单元(200)层叠在基准单元(100)；以及过孔(300)，其跨越基准单元(100)和附加单元(200)来配置，且在层叠方向延伸，过孔(300)具有配置在基准单元(100)的基准过孔(310)和配置在附加单元
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115836386 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202080102980.X (51)Int.Cl.
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