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本发明公开一种超薄晶圆减薄以及背面金属蒸镀的工艺方法,包括环状保护、键合、薄化减厚、浸泡脱离、支撑保护和转移蒸镀。本发明利用外围外环支撑保护结合亚膜可以制作超薄晶圆的研磨蚀刻工艺,既能避免破片,亦能提高最边缘部份的良率;可以使得晶圆薄片可在不受应力的情况下脱胶并传送转移;使得薄晶圆在外加圆环的支撑保护下转移至金属膜环治具上,可以进行镀金属膜的工艺;环状支撑保护相对于周边厚度较厚的硅片或是玻璃载板的方法,成本较低且不会造成晶圆周边良率的损失。解决了现有技术中研磨后晶圆外围厚度较厚,将会损失最少3‑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466807 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011336926.X
(22)申请日 2020.11.25
(71)申请人 绍兴同芯成集成电路有限公司
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