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一种研磨后晶片的清洗方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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一种研磨后晶片的清洗方法.pdf

    本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种研磨后晶片的清洗方法，所述清洗方法是将晶片经过金属清洗剂清洗完成后，再先后分别使用碱溶液和酸溶液各清洗一次，具体为：将研磨后的晶片表面用去离子水冲洗干净，置于金属清洗剂溶液中，不断抖动晶片，清洗完成后，取出用去离子水冲洗干净后，置于碱溶液中进行第二次清洗，清洗完成后，用去离子水进行冲洗2‑3min，置于酸溶液中进行第三次清洗，清洗完成后，用去离子水冲洗干净，即可进入下一工序。本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，在晶片腐蚀

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112452906 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011052657.4 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 威科赛乐微电子股份有限公司

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