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半导体衬底及形成内埋式衬底的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体衬底及形成内埋式衬底的方法.pdf

    本发明提供了一种半导体衬底，包括：空旷区；内埋有芯片的第一内埋区，由空旷区围绕；多个第一导电柱，贯穿空旷区并布置在第一内埋区周围；以及导电线，多个第一导电柱通过导电线串联，以形成围绕第一内埋区的针线结构。本发明在另一方面提供一种形成内埋式衬底的方法。本发明的目的在于至少提高半导体衬底的强度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466837 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011062410.0 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 日月光半导体制造股份有限公司

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