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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及MEMS面内动态特性测量领域,为实现MEMS器件高精度的面内动态位移特性的测量,突破现有技术的限制,得到更为清晰的图像以及精确地测量出MEMS的面内振动情况,并且能够探测MEMS器件的光学特性。为此,本发明采取的技术方案是,基于偏振成像的MEMS面内振动特性的测量方法,通过频闪补光提高图像的亮度,获得更为清晰的视频图像,将采集到的视频图像进行偏振降噪处理,增强图像的对比度,通过频闪成像的面内位移算法,计算得到MEMS器件的面内振动位移,最后通过偏振成像技术分析MEMS器件的偏振特性。本
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112461465 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011071821.6
(22)申请日 2020.10.09
(71)申请人 天津大学
地址 30
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