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本发明公开了一种提升铁电晶体管性能的器件结构及制备方法，其中，该器件结构可包括：衬底、栅电极、绝缘介质层、铁电层、沟道、源电极及漏电极，其中，栅电极位于衬底的上方，绝缘介质位于栅电极的上方，铁电层位于绝缘介质层上方，绝缘介质层上分布着尺寸为数十纳米的小孔，铁电层通过绝缘介质层上方的小孔与栅电极接触，源电极及漏电极位于沟道上方的两侧。该器件结构的栅电极通过小孔限制的区域与铁电层接触，通过这种结构限制铁电势垒层翻转面积，进而提升电晶体管模拟阻变特性及一致性，使其满足存算一体应用需求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112447831 B
(45)授权公告日 2022.01.18
(21)申请号 202011127843.X H01L 29/78 (2006.01)
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