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- 2023-05-30 发布于四川
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在本文所揭示的实例中，一种存储器阵列可具有耦合到第一层级处的第一数字线的存储器单元的第一群组及耦合到所述第一层级处的第二数字线的存储器单元的第二群组。第三数字线可位于第二层级处且可耦合到主感测放大器。第一垂直薄膜晶体管TFT可位于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级处且可耦合在所述第一数字线与所述第三数字线之间。第二垂直TFT可位于所述第三层级处且可耦合在所述第二数字线与所述第三数字线之间。局部感测放大器可耦合到所述第一数字线及所述第二数字线。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470224 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201980049411.0 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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