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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件(10)，包括半导体主体(11)；延伸穿过该半导体主体(11)的至少一部分的导电通孔(12)，其中所述通孔(12)具有顶侧(13)和背离该顶侧(13)的底侧(14)；在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的蚀刻停止层(15)，其中横向方向(x)垂直于由通孔(12)的延伸主轴线给出的垂直方向(z)；以及在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的导电接触层(16)。蚀刻停止层(15)在竖直方向(z)上被布置在导电通孔(12
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112470269 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 201980029058.X (74)专利代理机构 北京柏杉松知识产权代理事
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